پیوندهای مفید
اخبار و اعلانات
آمار
| تعداد نشریات | 25 |
| تعداد شماره‌ها | 939 |
| تعداد مقالات | 7,733 |
| تعداد مشاهده مقاله | 12,721,125 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 9,063,475 |
محاسبۀ ویژگی های الکترونی و ساختار نوارهای انرژی بلور گالیم ارسنیک در فاز بلند روی | ||
| فیزیک کاربردی ایران | ||
| مقاله 4، دوره 8، شماره 2 - شماره پیاپی 15، مهر 1397، صفحه 45-55 اصل مقاله (4 M) | ||
| نوع مقاله: مقاله پژوهشی | ||
| شناسه دیجیتال (DOI): 10.22051/jap.2020.25298.1123 | ||
| نویسنده | ||
| حمدا.. صالحی* | ||
| دانشیار شهید چمران اهواز | ||
| چکیده | ||
| در این مقاله ساختار الکترونی و ساختار نوارهای انرژی بلور GaAs در فاز بِلِندروی با استفاده از روش امواج تخت بهبودیافتۀ خطی با پتانسیل کامل FP-LAPW در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی (DFT) و با تقریب‌های مختلف و استفاده از کد محاسباتی Wien2k انجام شده است. در این روش، برای محاسبۀ پتانسیل تبادل‌ـ‌همبستگی از تقریب‌های LDA و شیب تعمیم‌یافته استفاده شده است. نتایج بیانگر آن است که خصوصیات الکترونی و ساختاریِ محاسبه‌شدۀ این ترکیب از جمله ثابت شبکه و مدول حجمی و تراکم‌پذیری و مشتق مدول حجمی با استفاده از تقریب GGA نسبت به سایر تقریب‌ها سازگاری بهتری با نتایج تجربی و نظری به‌دست‌آمده از روش‌های دیگر دارد. | ||
| کلیدواژه‌ها | ||
| نیمرسانا؛ GGA؛ نظریۀ تابعی چگالی؛ مدول حجمی؛ ثابت شبکه | ||
| عنوان مقاله [English] | ||
| Investigation of Structural and Electrical Properties of GaAs with Zinc-Blende Phase | ||
| نویسندگان [English] | ||
| Hamdollah Salehi | ||
| Associate Professor, Shahid Chamran University | ||
| چکیده [English] | ||
| In this paper, the electronic and band structure of GaAs in the zinc-blende phase are calculated making use of Full Potential Linear Augmented Plan Wave (FP-LAPW) method in the framework of density functional theory (DFT) by Wien2k software. The exchange and correlation potentials are calculated within the scheme of LDA, PBE and GGA approximations. The calculated band gap for GaAs with the best approximation PBE shows that there is a direct band gap at the Γ point, which is equal to 0.8eV; so, GaAs is semiconductor. The results show that the calculated electronic and structural properties of this composition, including lattice constant and compressibility derivative, are in good agreement with experimental and theoretical results obtained in others’ works. | ||
| کلیدواژه‌ها [English] | ||
| Semiconductor, Density Functional Theory, Lattice Constant, Bulk Module, GaAs | ||
| مراجع | ||
|
[1] Christensen N.E., “Electronic structure of GaAs under strain”, Physical.Review, B30،5753-5765(1984). [2] Ivanova L. et al. “Direct measurement and analysis of the conduction band density of state in diluted GaAs1-xNx alloys” Physical Review, B82, 161201 (2010). [3] Welker H. and Naturforsch Z., Vol.7, 744-749 (1952). [4] Salehi H. and Karimzadeh E. Calculation of electronic structure of GaAs crystal by using first principle. Proceeding of 15th Seminar on Crystallography and Mineralogy, Iran, 2010. (in Persian) [5] Dong Y. et al. “Band offsets of InGa/GaAs Hetrojunction by scanning tunneling spectroscopy”, Journal of applied physics,103,073704(2008). [6] Anua N.N. et al., “Non-local exchange correlation functionals impact on the structural,electronic and optical properties of III-V arsenides”, Semicond. Sci. Technol. 28 (2013). [7] Owolabi J.A., Onimisi M.Y., Abdu S.G. and Olowomofe G.O.., “Determination of band structure of GaAs and AlAs using DFT”, Computational Chemisttry 4, 73-82 (2016). [8] Richard S., Aniel F. and Fishman G., “Energy band structure of Ge,Si ,and GaAs”, Physical Review, B71, 169901E (2005). [9] Perdew J.P., Chevary J.A., Vosko S. H., Jackson Koblar A., Pederson Mark R., Singh D. J., and Fiolhais Carlos,“Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications of the generalized gradient approximation for exchange and correlation”, Physical Review, B46, 6671-6687 (1992). [10] Blaha P. and Schwarz K., Wien2k, Vienna university of technology, Austria (2015). [11] Perdew J.P. and Wang Y., “Accurate and simple density functional for the electronic exchange energy: Generalized gradient approximation”, Physical Review, B33, 8800 (1986). [12] Kohn W.and Sham L., Physical Review, A46, 1002 (1934). [13] Perdew J.P. and Zunger A., “Self-interaction correction to density-functional approximations for many-electron systems”, Physical Review, B23, 5048-5079 (1981). [14] Prassides K.Y., Iwasa T.et.al., cond-mat/0102507 v128 feb (2001). [15] Miotto R. and Srivastava G.and Ferraz A. C., “Role of generalized-gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of β-GaN and GaAs”, Physical Review, B59, 3008 (1999). [16] Dalcoso A., Pasquarell A., Baldere Schi A.and Cas R.., “Generalized-gradient approximations to density-functional theory: A comparative study for atoms and solids”, Physical Review, B53, 1180 (1996). [17] Levinshtein M.E. and Rumyantsev S.L. , Handbook Series on Semiconductor Parameters, Vol.1, M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur, ed., 77-103 (World Scientific, London, 1996). [18] Dargys A.and Kundrotas J., Handbook on Physical Properties of Ge, Si, GaAs and InP, Vilnius (Science and Encyclopedia Publishers, 1994). | ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 781 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 532 |
||