پیوندهای مفید
اخبار و اعلانات
آمار
| تعداد نشریات | 25 |
| تعداد شماره‌ها | 941 |
| تعداد مقالات | 7,773 |
| تعداد مشاهده مقاله | 12,854,096 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 9,152,483 |
مقالۀ پژوهشی: بررسی پارامترهای ساختاری و ساختار نواری InAs در دو فاز بِلِندِروی و ورتسایت | ||
| فیزیک کاربردی ایران | ||
| دوره 10، شماره 2 - شماره پیاپی 21، تیر 1399، صفحه 39-48 اصل مقاله (2.01 M) | ||
| نوع مقاله: مقاله پژوهشی | ||
| شناسه دیجیتال (DOI): 10.22051/ijap.2020.17549.1082 | ||
| نویسندگان | ||
| حمدا.. صالحی* 1؛ صغری بهرامی ده تونی2 | ||
| 1دانشیار، گروه فیزیک، دانشکدۀ علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز، اهواز، ایران | ||
| 2دانشجوی کارشناسی ارشد، گروه فیزیک، دانشکدۀ علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز، اهواز، ایران | ||
| چکیده | ||
| در این مقاله، پارامترهای ساختاری از جمله ثابت‌های شبکه، مدول حجمی و مشتق آن، پایداری و ساختار نواری ترکیب InAs در دو فاز بلندروی و ورتسایت بررسی شده است. محاسبات در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با روش شبهِ‌پتانسیل بارپایسته توسط بستۀ نرم‌افزاری اسپرسو انجام شده‌است. نتایج به دست آمده و از جمله مقادیر ثابت شبکۀ محاسبه‌شده با نتایج تجربی در سازگاری خوبی هستند. نتایج بیان‌گر آن است که فاز بلندروی پایدارتر است و InAs در هر دو فاز، نیم‌رسانایی با شکاف کوچک است. همچنین، نتایج حاصل از مشارکت اربیتال‌های مختلف نشان می‌دهد که در نوار رسانش همپوشانی قوی بین اربیتال‌های p از اتم‌های In و As و اربیتال s از اتم In است، در حالی که در بالای نوار ظرفیت همپوشانی اربیتال‌های p از اتم‌های In و As غالب است. | ||
| کلیدواژه‌ها | ||
| InAs؛ نظریۀ تابعی چگالی؛ کوانتوم اسپرسو؛ شبه‌پتانسیل | ||
| عنوان مقاله [English] | ||
| Research Paper: Investigation of Structural Parameters of InAs in Zincblende and Wurtzite Phase | ||
| نویسندگان [English] | ||
| Hamdollah Salehi1؛ Soghra Bahrami Dehtooti2 | ||
| 1Associate Professor, Department of Physics, Faculty of Science, Shahid Chamran University of Ahvaz, Ahvaz, Iran | ||
| 2M.Sc. Student, Department of Physics, Faculty of Science, Shahid Chamran University of Ahvaz, Ahvaz, Iran | ||
| چکیده [English] | ||
| In this paper, we have calculated the InAs structural parameters such as lattice constant, bulk modulus and its derivative, stability and density state in zincblende and wurtzite phases. The calculations have been performed using pseudopotential method in the framework of density functional theory by Espresso package. The calculated structural parameters are in good agreement with experimental results. The results showed that zincblende phase is more stable than wurtzite phase and InAs in zincblende and wurtzite phases is a narrow gap semiconductor. Also, the results of the contribution of different orbitals show that in the conduction band, there is a strong overlap between p orbitals of In and As atoms and the orbital s of In, while at the top of the valence band, the overlap of p orbitals of In and As atoms is predominant. | ||
| کلیدواژه‌ها [English] | ||
| InAs, Density Functional Theory, Quantum Espresso, Pseudopotential | ||
| مراجع | ||
|
[1] Umar M. F. and Othman A. P., “Density of states calculation for Indium-Arsenide zincblende based on density functional theory”, KMITL Sci. Tech. J. Vol. 9, No. 2 (2009). [2] Mohammad R., PhD. Theses, “The electronic band structure of III (In, Al, Ga)-V (N, As, Sb) compounds and ternary alloys”, Middle East Thechnical University (2005). [3] Wang S. Q. and Ye H. Q., “A plane-wave pseudopotential study on III–V zinc-blende and wurtzite semiconductors under pressure”, J. Phys.: Condens. Matter 14, 9579-9587 (2002). [4] Zanolli Z. and Barth U. V., “All-electron study of InAs and GaAs wurtzite structural and electronic properties”, arXiv:cond-mat/0610066v2 (2007). [5] Mohammad R., Katrcog S and El-Hasan M. “The electronic band structure of InN, InAs and InSb compounds”, J. Mater. Sci. 43, 2935–2946(2008). [6] Cakan A., Sevik C. and Bulutay C., “Strained band edge characteristics from hybriddensity functional theory and empiricalpseudopotentials: GaAs, GaSb, InAs and InSb”, arXiv:1605.06807v1 [cond-mat.mtrl-sci] (2016). [7] Garwood T. , Modine N. A. and Krishna S., “Electronic structure modeling of InAs/GaSb superlattices with hybrid density functional theory”, Infrared Physics & Technology,Vol 81,27-31(2017). [8] Caid M., Rached D., Cheref O., Righi H., Rached H., Benalia S., Merabet M. and Djoudi L., “Full potential study of the structural, electronic and optical properties of (InAs)m/(GaSb)n superlattices”, Computational Condensed Matter,Vol 21, e00394(2019). [9] Opple M., “DFT-Density Functional Theory”, (2002). [10] http://www.quantum-espresso.org. [11] Murnaghan F. D., “The compressibility of media under extreme pressure”, Proc. Nat. Acad. Sci. 30, 244 (1994). [12] Santos C. L. D. and Piquini P., “Diameter dependence of mechanical, electronic, and structural properties of InAs and InP nanowires:Afirst-principles study”, Phys. Rev.B 81,075408 (2010). [13] Akiyama T., Nakamura K. and Ito T., “Structural stability and electronic structures of InP nanowires: Role of surface dangling bonds”, Phys. Rev. B 73, 235308 (2006). [14] Shu H., Chen X., Zhao H., Zhou X., and Lu W., “Structural Stability and Electronic Properties of InAs Nanowires and Nanotubes: Effects of Surface and Size”, J. Phys. Chem. C 114, 17514–17518 (2010). [15] Remediakis I. N. and Kaxiras E., “Band-structure calculations for semiconductors within generalized density functional theory”, Phys. Rev. B 59, 5536 (1999). [16] Ahmed R., Hashemifar S. J., Akbarzadeh H., Ahmed M. and Aleem F., “Ab initio study of structural and electronic properties of III-arsenide binary compounds”, Computational Materials Science 39, 580–586 (2007). | ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 753 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 552 |
||