پیوندهای مفید
اخبار و اعلانات
آمار
| تعداد نشریات | 25 |
| تعداد شماره‌ها | 916 |
| تعداد مقالات | 7,522 |
| تعداد مشاهده مقاله | 12,232,785 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 8,651,971 |
Performance investigation of an extended source germanium reconfigurable field effect transistor for advanced CMOS applications | ||
| Journal of Interfaces, Thin Films, and Low dimensional systems | ||
| دوره 7، شماره 1، اسفند 2023، صفحه 675-684 اصل مقاله (1.82 M) | ||
| نوع مقاله: Original Article | ||
| شناسه دیجیتال (DOI): 10.22051/jitl.2023.44794.1095 | ||
| نویسندگان | ||
| Hamid Reza Heydari؛ Zahra Ahangari* ؛ Hamed Nematian؛ Kian Ebrahim Kafoori | ||
| Department of Electronic, Yadegar- e- Imam Khomeini (RAH) Shahr-e-Rey Branch, Islamic Azad University, Tehran, Iran | ||
| چکیده | ||
| This paper presents a comprehensive investigation into the electrical characteristics of a reconfigurable Schottky barrier transistor that utilizes germanium as the channel material and features an extended source region. The impact of critical design parameters on the device performance is thoroughly assessed. The device is capable of achieving both n-type and p-type operation on a single device by adjusting the appropriate bias for the electrodes, without the need for additional physical doping. The proposed device offers a wider tunneling area at the interface of the source and channel region, leading to an improvement in device switching performance and a reduction in the threshold voltage required for the onset of tunneling. The gate workfunction is a crucial design parameter that should be optimized to minimize the off-state current for both n-type and p-type operation. The findings reveal that the on/off current ratio of 5.26×104 and 5.9×104 can be attained for n-type and p-type operation, respectively. Furthermore, the analog performance of the device has been examined, and a cut-off frequency of fT=3GHz has been achieved for n-type and p-type device. These results provide valuable insights into the development of low-power reprogrammable logic circuits. | ||
| کلیدواژه‌ها | ||
| Schottky Barrier Transistor؛ Thermionic Emission؛ Direct Tunneling؛ Reconfigurable Transistor | ||
| عنوان مقاله [English] | ||
| بررسی عملکرد ترانزیستور شاتکی ژرمانیومی با قابلیت پیکربندی مجدد و سورس توسعه یافته برای کاربردهای CMOS پیشرفته | ||
| نویسندگان [English] | ||
| حمید رضا حیدری؛ زهرا آهنگری؛ حامد نعمتیان؛ کیان ابراهیم کافوری | ||
| گروه الکترونیک،واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری ، دانشگاه آزاد اسلامی ، تهران، ا یرا ن | ||
| چکیده [English] | ||
| در این مقاله عملکرد ترانزیستور شاتکی با قابلیت پیکربندی مجدد و کانال ژرمانیومی به همراه سورس توسعه یافته به طور کامل مورد بررسی قرار گرفته است. اثر پارامترهای مهم طراحی بر عملکرد این افزاره مورد مطالعه و بررسی قرار گرفته است. این افزاره قابلیت عملکرد کانال n و کانال p را تنها با تغییر بایاس الکترودهای مربوطه دارد و نیازی به تغییر آلایش فیزیکی افزاره نیست. به دلیل بکارگیری ساختار سورس توسعه یافته، مساحت ناحیه تونل زنی در فصل مشترک سورس با کانال افزایش یافته که این مسئله منجر به بهبود خاصیت کلیدزنی افزاره و کاهش ولتاژ آستانه لازم برای شروع پدیده تونل زنی می‌گردد. تابع کار گیت یک مشخصه مهم افزاره است که برای دستیابی به کمترین جریان حالت خاموش در کانال n و کانال p لازم است مقدار بهینه ای برای آن تعیین گردد. براساس نتایج شبیه سازی، نسبت جریان روشن به خاموش 104×5.26 و 104×5.9 به ترتیب برای افزاره های کانال n و کانال p بدست آمده است. همچنین فرکانس قطع در حدود GHz 3T= f برای هر دو افزاره کانال n و کانال p محاسبه گردیده است. نتایج این مقاله چشم انداز روشنی را برای توسعه مدارهای منطقی توان پایین با قابلیت برنامه ریزی مجدد فراهم میکند. | ||
| کلیدواژه‌ها [English] | ||
| ترانزیستور شاتکی, انتشار ترمویونی, تونل زنی مستقیم, ترانزیستور با قابلیت پیکربندی مجدد | ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 184 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 674 |
||